基于RF-MBE的蓝宝石衬底上GaN低温生长研究
GaN基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质量的GaN材料通常由MOCVD和MBE在高温条件下进行生长,本文依托RF-MBE提出了两种非高温的方式来增加原子的表面迁移能力，为进而实现高质量GaN的低温生长提供可能的途径的离子。本文研究了在低温生长时，离子轰击对材料质量的影响，样品D在生长过程中将氮等离子体源出口处的偏压关闭，从而让离子到达样品表面进行轰击，其它生长条件与样品C-致。其XRD和AFM的测试结果如Table 1所示，从中可以看出，此时的离子轰击减小了FWHM(002)和RMS，但增加了FWHM(102)，说明离子轰击增强了C轴取向，减小了刃位错，但增加了螺位错。样品D的RHEED图如Fig, 2(d)所示，从中可以看出，离子轰击并没有使表面更粗糙。
氮化镓 低温生长 离子轰击 表面迁移能力
吴超 余佳东 罗毅 郝智彪 王健 汪莱 鄂炎雄 孙长征 韩彦军 熊兵 李洪涛
清华大学电子工程系,北京,100084
国内会议
苏州
中文
176-177
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）