N极性p型GaN薄膜的制备及其特性研究
虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga极性GaN基发光二极管,N极性GaN基发光二极管在大电流下有更好的发光表现.然而,在N极性GaN薄膜的制备过程中表面会形成大量的六方缺陷,其引入的施主型杂质会使N极性GaN薄膜具有较高的背景电子浓度,这使得N极性GaN的p型掺杂面临着巨大的挑战.为此,首先采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上制备了高质量的N极性GaN薄膜.通过优化生长条件，有效地抑制了N极性GaN表面六方缺陷的形成。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。制备的N极性GaN薄膜(0002)摇摆曲线半峰宽达到了～30arcsec，这证明制备的N极性GaN具有较高的晶体质量。
氮化镓薄膜 制备工艺 化学腐蚀 晶体质量
蒋俊岩 迟宸 闫龙 张源涛 张宝林 杜国同
集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春,130012
国内会议
苏州
中文
178-178
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）