脉冲法生长氮化铝单晶厚膜的研究
氮化铝(AlN)的禁带宽度大、热导率高、与铝镓氮(AlGaN)的晶格适配小,是AlGaN基紫外LED以及高频大功率电力电子器件的理想衬底材料.氢化物气相外延(HVPE)在制备GaN单晶膜厚方面已经比较成熟,但制备高质量无裂纹的AlN厚膜还比较困难,主要原因是Al原子的平均迁移长度小,AlN倾向于3D岛状生长.Al原子的平均迁移长度与扩散系数以及平均迁移时间有关.为了提高平均迁移长度,提出一种新的解决办法-脉冲式生长.这种方法可以通过增加Al原子在衬底表面的平均迁移时间的方式增加Al原子的迁移长度,促进AlN的二维生长.
氮化铝 单晶厚膜 氢化物气相外延 脉冲法
韩东岳 孔苏苏 李辉杰 杨少延
中国科学院半导体研究所,北京,100083
国内会议
苏州
中文
187-187
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）