GaN纳米材料的制备及性能研究
氮化镓(GaN)以其优异的物理化学性质和光电特性在高温、高压和高频器件等电子领域有着广泛的应用.国内外GaN纳米材料的生长方法主要包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、化学气相沉积(CVD)等方法.本文利用CVD法,以硅片为衬底,NH3、GaCl3为反应源,Ar作为载气,在无催化剂条件下制备得到了GaN纳米材料.系统地研究了实验参数(包括氨气流量、衬底温度及源基距)对GaN纳米材料形貌、结构和性能的影响,以实现GaN纳米材料形貌的可控.
氮化镓纳米材料 化学气相沉积 形貌特征 材料结构
王婷 陈飞 季小红
华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510641
国内会议
苏州
中文
190-190
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）