Investigation of the nucleation mechanism and process of GaN layers epitaxial growth on nano-patterned sapphire substrates

摘要：

The past decades have witnessed a tremendous advancement in the GaN-based light emitting diodes (LEDs) for general illumination applications.As we know,sapphire is one of the most common used substrate materials for GaN heteroepitaxial growth.However,due to the large difference inthe lattice constant,crystal structure and thermal expansion coefficient,GaN layers grown on sapphire substrate exhibit substantial biaxial stress at the GaN/sapphire interface and high threading dislocation densities(TDDs)which in the range of 109-1011cm-2 in GaN epitaxial layers”1”.

关键词： Nano-patterned sapphire substrates GaN Nucleation

作者: 刘浩 李虞锋 苏喜林 丁文 张烨 熊瀚 王帅 冯伦刚 弓志娜 王江腾 云峰

作者单位: 教育部电子与器件重点实验室,陕西省信息光子技术重点实验室;固态照明中心,西安交通大学 陕西新光源有限公司 固态照明中心,西安交通大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

会议地点: 苏州

会议语种:英文

页码: 192-193

在线出版日期: 2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）