基于碳纳米管掩膜的GaN纳米异质外延生长研究

摘要：

近年来,GaN材料的纳米异质外延(NHE)技术引起了广泛关注.相比于微米级选区生长技术,NHE技术可以通过限制核心尺寸在GaN的初始生长阶段显著湮灭位错、弛豫应力.然而GaN在高缺陷区的过早合拢并不利于最大限度提升薄膜质量,且纳米图形复杂、昂贵的制备工艺也不利于NHE技术的大规模应用.本文中,运用碳纳米管(CNT)掩膜实现了NHE技术改进,将微米级和纳米级两种选区生长技术的优势进行融合,显著提高了GaN薄膜的质量,并且具有掩膜工艺简单和低成本的特点,大大提高了NHE技术产业化应用的可能性.

关键词： 氮化镓 异质外延生长 薄膜质量 碳纳米管掩膜

作者: 冯晓辉 纪骋 张立胜 康香宁 杨志坚 魏洋 张国义 于彤军

作者单位: 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871;东莞市中镓半导体科技有限公司,东莞523500 清华大学物理系&清华-富士康纳米科技研究中心,北京100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 198-199

在线出版日期: 2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）