会议专题

极性和非极性p-GaN/i-In0.1Ga0.9N/n-GaN太阳能电池数值分析

InGaN合金材料随In组分的改变禁带宽度可从0.7ev连续调到3.4ev,这一变化范围不仅覆盖了可见光的所有区域,还延伸到红外区域和近紫外区域,与太阳光谱几乎完美匹配.因此,利用不同组分的InGaN材料进行带隙叠层搭配,制作的双结及多结太阳能电池理论上将方便调节带隙以实现与太阳光谱的匹配,从而使用一种材料便可实现高效多结太阳能电池,这比传统的硅基和砷化镓基的多结电池具有优势,本文对极性和非极性PIN型InGaN太阳能电池进行了数值分析,从理论上分析了包括Ga极性面(Ga-polar),半极性面(58-polar)非极性面(non-polar)不同极化类型的太阳能电池的能带结构和光电转换效率。

太阳能电池 极化氮化物 非极性氮化物 能带结构 光电转换效率

王保柱 冯研 王敏 肖红领 王晓亮

河北科技大学信息学院,石家庄,050000;中国科学院半导体研究所,北京,10083 河北科技大学信息学院,石家庄,050000 中国科学院半导体研究所,北京,10083

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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

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224-225

2015-10-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)