2000流明单片大功率白光GaN-LED

摘要：

近年来,LED作为新一代光源,因其具有节能、环保、寿命长、体积小等众多优点,开始逐步被应用到普通照明领域.调查显示,LED灯具中,芯片本身的成本只占总成本的10％-15％,芯片的封装成本却占总成本的50％,偏高的封装成本已成为阻碍LED灯具进一步普及的关键因素.通过芯片结构优化设计得到了单片大功率蓝光LED芯片，并通过荧光晶体实现高效白光转化，实现了光通量达20001m以上的单片大功率白光LED。单片大功率LED芯片仍然面临着光取出效率较低的问题，随着不断深入研究，其性能会逐步提高，将来有望在大功率照明领域成为高性价比的技术途径。

关键词： 发光二极管 氮化镓 芯片设计 白光转化率

作者: 康维华 张亦赋 丁明迪 黄宏娟 董永军 蔡勇 张宝顺

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123;桂林电子科技大学广西信息科学实验中心,桂林,541004 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123 中科院上海光学精密机械研究所,上海,201800

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 228-229

在线出版日期: 2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）