双P型电极LED发光器件
GaN为主导的Ⅲ-N半导体发光二极管(LED)是目前半导体固态照明中最重要的器件.其具有发光效率高、禁带宽度可调、稳定性好等优势.目前的GaN基LED主要包括垂直结构及平面电极两种,但它们的制备过程都较复杂,工艺窗口敏感,包括多次光刻、电极制备、材料刻蚀等.本文中，提出了一种相对简单的LED制备过程。通过一次光刻及蒸镀Ni/Au，制备了双P型环形电极，实现了LED发光。首先，通过常规的MOCVD生长得到N型GaN/多量子阱(MQWs)/P型GaN的复合薄膜结构；再通过一次光刻得到同心圆环图形；最后金属磁控溅射的方法沉积得到Ni/Au( lOnm/50nm)电极，电极结构如图1(a)所示，大环的半径为250微米，而小环半径为100微米。
发光二极管 氮化镓 制备工艺 发光效率
龙浩 曾勇平 张保平
厦门大学信息科学与技术学院电子工程系,厦门,361005
国内会议
苏州
中文
237-238
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）