一种栅极与源漏电极处于不同表面的高电子迁移率晶体管新结构
自从半导体材料出现以来,现代科技经历了前所未有的飞速发展.同时,不断进步的现代科技对半导体产品有着越来越高的要求.想要满足这些要求,人们势必要对新型半导体材料与器件结构进行更多创新性研究.本文则将提出一种氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的新结构.氮化镓高电子迁移率晶体管一般是由AlGaN/GaN异质结与源、栅、漏三个电极组成.目前,虽然氮化镓高电子迁移率晶体管的结构多种多样,但是作为表面器件,其基本结构都局限于三个电极处在同一表面的结构.本项目则是要提出并证明一种不同的结构,栅极与源漏极处在两个不同的表面,即异面栅极结构.本文将会介绍一个建立常见氮化稼高电子迁移率晶体管结构与异面栅极结构的仿真模型的过程，并通过对比仿真结果所显示的电流密度，证明异面栅结构可以提供更好的导通电流性能。
高电子迁移率晶体管 氮化镓 异面栅极结构 导通电流性能
程哲
中国科学院半导体研究所,北京,北京市海淀区清华东路甲35号,北京,100083
国内会议
苏州
中文
268-268
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）