F离子注入实现增强型MIS-HEMT的研究

摘要：

在这篇文章中,主要通过标准的F离子注入技术实现增强型metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors(MIS-HEMT)器件,8nm的LPCVD-Si3N4作为栅介质的同时,也用作离子注入的能量吸收层来降低注入损伤.制作的增强型MIS-HEMT的阈值电压为+3.3V,饱和电流约为200mA/mm,同时具有一个较高的开关比～10 9.这个技术有利于工业化生产和器件的单片集成。

关键词： 高电子迁移率晶体管 能量吸收层 氟离子注入 单片集成

作者: 张志利 蔡勇 于国浩 付凯 张晓东 孙世闯 宋亮 张宝顺

作者单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 281-282

在线出版日期: 2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）