用化学气相沉积方法制备MoO3纳米片
MoO3是一种间接宽带隙氧化物材料(＞3ev),由于其独特的结构、优异的光学性质和良好的稳定性,MoO3在很多领域都很有应用前景,例如可用于制作紫外光电子器件、有机太阳能电池中的缓冲层以及光阳极等.MoO3纳米片材料具有大的比表面积,可能更有利于制作电子器件.目前制备MoO3纳米片的方法有蒸镀法、电化学沉积法、溅射法、溶胶凝胶法等.使用了化学气相沉积(CVD)方法来制备MoO3纳米片,获得了单晶MoO3纳米片.以MoO3粉末为蒸发源，H2为载气及还原气体，在硅片上收集MoO3纳米片。用扫描电镜观察了产物，发现纳米片呈六边形，直径约为几百纳米，厚度约几十纳米。透射电镜观察和选区电子衍射(SAED)表明纳米片为单晶MoO3。对纳米片做Raman谱测量，光谱峰与MoO3薄膜的谱峰相符，证明成功制备了M003纳米片。还分析了MoO3纳米片的生长机理，认为在合适的加热温度下，蒸发出的MoO3会与H2反应生成MoO3-x(0<x<3)，同时，系统中的钼的低价氧化物会与O2发生反应，生成MoO3纳米片并在衬底上沉积。
三氧化钼纳米片 化学气相沉积方法 生长机理
唐涛 潘华勇 邢英杰 徐洪起
北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室,电子学系,北京,100871
国内会议
苏州
中文
293-293
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）