利用瞬态及稳态光电容法对宽禁带铜铟镓硒薄膜太阳能电池内深能级缺陷的研究
铜铟镓硒(CuInGaSe2或CIGS)是一种高性能的光电转换材料,目前最广泛的应用是被作为光吸收层而应用于薄膜太阳能电池中,这种材料具有高吸收系数,较宽的禁带宽度调节范围(从铜铟硒CIS的1.01eV到铜镓硒CGS的1.68eV)等特点.目前铜铟镓硒薄膜电池最高效率已达21.7％,并且具有很好的商业化应用前景.尽管铜铟镓硒薄膜电池的最高效率已经越来越接近硅晶电池,问题依然存在.首先利用瞬态光电容法测量到了铜铟镓硒电池中一位于价带顶0.8eV处的缺陷能级，此缺陷能级位置与镓含量无关；然后利用稳态光电容法定量的测得此缺陷的态密度，发现缺陷密度随镓含量增加而升高，这可能是限制宽禁带铜铟镓硒电池的重要原因之一，因此进一步研究此缺陷的来源并且开发减少此缺陷的方法很有意义。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池 深能级缺陷 瞬态光电容法 稳态光电容法
胡小波 陈少强 秋本克洋
华东师范大学信息科学技术学院电子工程系,上海市,200241;日本筑波大学应用物理系,日本茨城县筑波市,3058573 华东师范大学信息科学技术学院电子工程系,上海市,200241 日本筑波大学应用物理系,日本茨城县筑波市,3058573
国内会议
苏州
中文
294-295
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）