氮化硅X射线掩摸研制

摘要：

Ｘ射线光刻掩摸是由一片支撑薄膜和附着在薄膜上的Ｘ射线吸收体的图形组成，因此如何通过控制ＳｉＮ〈，ｘ〉薄膜中的应力获得大面积的薄膜材料，就成了ＳｉＮ〈，Ｘ〉薄膜制备中的主要问题。该文报到了采用ＬＰＣＶＤ方法在高温下制备富硅ＳｉＮ〈，ｘ〉薄膜的工艺过程，分析了富硅型ＳｉＮ〈，ｘ〉薄膜的微结构及其膜内应力之间的相互影响，对富硅型ＳｉＮ〈，ｘ〉薄膜的ＬＰＣＶＤ生长工艺进行优化，大大降低了膜的张应力，成膜面积可达４０＊４０ｍｍ〈，２〉。

关键词： X射线光刻掩模 SiN<,X>薄膜 LPCVD 薄膜应力

作者: 陈大鹏 叶甜春 赵玲利 韩敬东 谢常青

作者单位: 科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 340～343

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）