0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件操作中的应用

摘要：

对同步辐射X射线光刻及在GaAs PHEMT器件制作中的应用进行了研究，并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT晶体管。研究结果表明，X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。

关键词： X射线光刻 T型栅

作者: 叶甜春 谢常青 李兵 陈朝晖 张绵

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京) 信息产业部电子13所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 182～185

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）