用于Ｘ射线光刻掩模的ＳｉＮ〈，Ｘ〉薄膜

摘要：

Ｘ射线光刻目前被认为是替代光学光刻进入深亚微米制造领域的最有希望的几种技术之一，Ｘ射线光刻技术进入工业化生产的关键是需要解决光刻掩模制造技术。该文报道了在高温下采用ＬＰＣＶＤ方法制备低张应力ＳｉＮ〈，Ｘ〉薄膜的工艺过程，获得的ＳｉＮ〈，Ｘ〉薄膜具有低张应力，高透光率特性，成品率和重复性增多有大幅度提高。可用于Ｘ射线掩模制造。

关键词： Ｘ射线光刻 ＳｉＮ〈，Ｘ〉 薄膜 掩模 深亚微米光刻

作者: 陈大鹏 叶甜春 赵玲俐 韩敬东 谢长青 李兵

作者单位: 科学院电子中心(北京) 科学院电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 390～393

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）