X射线总剂量效应的初探

摘要：

X射线与γ同属电离辐射，其对半导体器件的辐照效应从损伤机理上看有一定的等同性，但由于X射线能量较γ射线低，与半导体器件封装材料的反应截面大，因此产生辐照效应与γ射线有一定的差异，该文简要介绍了X射线辐照半导体器件的总剂量效应初步研究的结果。

关键词： X射线 总剂量 半导体器件

作者: 张力

作者单位: 航天总公司一院十四所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 104～108

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）