荣德全熔高效多晶及金刚线应用
多晶硅片的生产工艺进行探讨。研究发现，使用更高纯度的高纯层材料，优化扩散阻隔层性能，可以有效硅锭减少金属杂质，从而提高电池转化效率；优化阶段长晶速率，可以有效降低位错；通过共掺杂技术获得合适的电阻率阻值和分布可以提升硅片在PERC工艺下的电性能表现；通过优化气流结构和新材料新结构的应用，可以有效降低硅锭碳含量；通过合适的氮化硅粉配比和喷涂工艺调整，可以提高氮化硅涂层化学稳定性，有效降低硅锭氮化物杂质。
多晶硅片 晶体位错 共掺杂 金刚线切割工艺 氮化硅涂层
张振中 唐骏 杨振帮 常传波
国内会议
徐州
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2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）