MOS光伏旁路开关可靠性研究
随着电站安装量逐步扩大，电站质量问题越来越被关注。结合光伏组件典型失效模式，对MOS光伏旁路开关可靠性进行研究。正向导通条件下，MOS开关正向压降仅为肖特基二极管的20％~40%，壳温优势明显，室内测试最高低150℃，户外测试目前最高低22℃。反向偏置条件下，MOS开关漏电流比肖特基低3个数量级以上，对结温未有明显影响，三种旁路器件的温差保持在5℃以内。正反向切换条件下，MOS开关可保证25-175℃温区内40V的反向耐压，肖特基二极管温度≥75℃容易造成击穿。TC200后，旁路器件各自性能与TC0相比基本无差异;MOS开关仍表现出优异的低温和低导通电压特性。发电量实验中，MOS组件发电能力无劣势，在遮挡条件下发电量略有提升，在当前条件下最高可达0.35%/Kw。
金属氧化物半导体场效应晶体管 光伏旁路开关 可靠性评估
沈文杰 王露 刘仁中 张斌 邵爱军
海润光伏科技股份有限公司 西南集成电路设计有限责任公司
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2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）