非晶硅/晶体硅异质结太阳电池高性能钝化层的关键参数及其可行制备方法
通过对非晶硅/晶体硅异质结太阳电池进行研究，发现影响电池性能的钝化层的关键参数。研究表明，异质结界面缺陷态密度(Dit)主要影响电池开路电压(Voc)，必须控制在10^11cm-2/eV以下。钝化层的厚度(Ct)和带隙(Eg)是影响太阳电池填充因子(FF)的主要因素。钝化层越厚，FF越小。带隙过大或过小，都会造成FF下降，最佳的钝化层带隙在大约1.5 eV。钝化层内的体缺陷态密度也会造成电池Voc和FF的下降，但下降程度只有在钝化层厚度较大时才会明显。薄的钝化层需要重点考虑如何降低Dit;厚的钝化层需进一步考虑如何减少钝化层的体内缺陷和调整钝化层的带隙。给出了3种高性能钝化层的可行制备方法。
太阳电池 硅异质结 钝化层 结构参数 制备工艺
赵雷 王光红 刁宏伟 王文静
中国科学院电工研究所太阳电池技术研究部
国内会议
徐州
中文
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2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）