铸造多晶硅中碳杂质的分布及影响因素
研究发现，碳在硅中的理论分凝系数为0.07,但实际情况是,硅锭中碳的分布也不符合分凝规律,硅锭底部的碳分布疑是呈线性分布.硅中的碳饱和浓度为8ppma,实际测试浓度偏高50％.可能多晶硅中饱和浓度有所上升.本实验选取不同阶段进入快速冷却的硅锭，其中M7阶段溢流硅锭，上部的棒料未完全融化，选取硅锭底部位置，M9硅锭硅料大部分熔化，G1阶段硅锭硅料全部熔化，这两个阶段测试的整个硅锭。碳含量在熔化结束后的值要高于熔化前期，这说明在熔化后期碳还不断的进入硅液中。
多晶硅 铸造工艺 碳杂质 分布规律
武鹏
江苏协鑫硅材料科技发展有限公司研发部
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徐州
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2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）