铸造多晶硅中的界工程:组分过冷诱生外延枝晶晶界

摘要：

组分过冷现象使铸造硅固液界面发生枝晶生长，外延枝晶下表面会保留在晶体中，形成外延枝晶晶界，外延枝晶晶界可以有效抑制位错生长增殖，降低缺陷浓度，经过优化的铸造多晶硅实例有效提高了电池转换效率。

关键词： 多晶硅 铸造工艺 固液界面 枝晶生长 电池转换效率

作者: 原帅

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室;江西赛维LDK高科技有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 徐州

会议语种:中文

页码: 1-11

在线出版日期: 2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）