功率半导体新技术在组串式光伏逆变器中的应用-分立器件篇

摘要：

碳化硅(SiC)元件在系统层面带来好处(例如光伏逆变器)，减小系统体积，降低系统成本，同时增加半导体价值，SiC MOSFET相比传统1200 V硅器件，具有低Qg和门极电容量，寄生二极管几乎没有反向恢复损耗，开关损耗不受温度影响，有别于IGBT，导通电压为电阻特性Cool SiCTM独特的SiC MOSFET的优势。带给用户的好处主要包括一流的系统性能，效率最高，减少冷却需求，提高工作频率，降低系统成本，提高功率密度，降低系统复杂度，延长寿命，提高可靠性，简化设计和实施。

关键词： 光伏逆变器 碳化硅 半导体技术

作者: 英飞凌 李国虓

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 徐州

会议语种:中文

页码: 1-35

在线出版日期: 2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）