ITO生长及后退火对双面TOPCon晶体硅太阳电池的影响研究
双面TOPCon结构”(n+) poly-Si /Si Ox/(n-)c-Si/Si Ox/(p+)poly-Si” 太阳电池的载流子输运呈一维特性，易于获得更高的FF，设计双面TOPCon太阳电池时，因多晶硅薄膜的方阻较大，需要一层TCO薄膜增强载流子的输运与收集；溅射ITO薄膜导致n-type和p-type TOPCon样品钝化寿命急剧下降，溅射功率及沉积温度越高，少子寿命衰退越厉害！但是通过退火可以使TOPCon样品钝化性能得到有效恢复，并且在500oC附近得到最佳的恢复；受限与p-type TOPCon钝化性能，双面TOPCon电池效率初步达到 16.9％；软件模拟表明，进一步优化发射极钝化性能，电池效率有望提高到22.9%。
晶体硅太阳电池 薄膜生长 退火工艺 钝化性能
陶科 贾锐 姜帅 周颖
中国科学院微电子研究所
国内会议
徐州
中文
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2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）