晶硅铸锭相比直拉单晶还有竞争力吗?--晶硅铸锭技术方向探讨
本文阐述了晶硅铸锭技术的改进。除了原生硅料纯度，回收料的料理清洗，热场灰份，装料和车间环境之外，主要2个技术方面的问题：气流和盖板系统和坩埚和涂层系统。界面的平整度和等温线的连续性，两个独立的问题。C和N过饱和，析出SiC和SiN，进入晶体。易于金刚线切割，易于制绒，减少晶界缺陷。问题时如何控制位错和杂散晶向。边缘杂散晶向的隔离：边缘界面形态，制作隔离晶界，退一步，边缘晶砖可以考虑单多晶混合。
晶硅 铸锭工艺 界面性能 缺陷控制
路景刚
环太集团光伏事业部
国内会议
徐州
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2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）