硅晶体定向凝固生长中位错的形核机制--分子动力学模拟观察

摘要：

文章介绍了晶体硅中的位错及其影响，阐述了硅晶体凝固生长的分子动力学计算模拟，分析了位错出现概率的”统计”结果，探究了位错的形核机制。

关键词： 晶体硅材料 凝固生长 位错密度 形核机制 分子动力学

作者: 周耐根 周浪

作者单位: 南昌大学光伏研究院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 徐州

会议语种:中文

页码: 1-28

在线出版日期: 2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）