Hybrid a-SiOx(In)layer as passivated contact and hole-tunneling in ITO/n-Si heterojunction solar cell

摘要：

Outline Background PV performance of ITO/n-Si heterojunction device Microstructure of a-SiOx(In) hybrid layer The role of a-SiOx(In) hybrid layer Conclusion

作者: M.Gao Y.Z.Wan Y.Li B.C.Han Z.Q.Ma

作者单位: SHU-SOEN”s R&D Lab,Shanghai University

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 徐州

会议语种:英文

页码: 1-11

在线出版日期: 2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）