鑫单晶项目研究进展

摘要：

研究阐明：侧部长晶功率过高和过低都会对晶体质量产生影响，前者会引起外围锭位错增殖过快，后者会引起中间锭产生阴影；均匀对称的热场和散热方式对鑫单晶晶体质量同样至关重要。

关键词： 单晶硅材料 制备工艺 参数整定 位错增殖

作者: 郭晓琛

作者单位: 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 徐州

会议语种:中文

页码: 1-10

在线出版日期: 2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）