ITO/n-Si异质结界面层量子输运性质的模拟

摘要：

本文讲述了ITO/n-Si界面层模拟模型的建立，分析了界面层光电性质的模拟探索，总结了模拟结果对ITO/n-Si异质结光伏性能的预测，a-SiOx(In)是一种宽禁带具有良好的隧穿和钝化功能的半导体材料，此种单结太阳电池在表面制绒、背钝化后，模拟开路电压可到0.711V，短路电流可达41.28mA/cm2，转换效率81.58％，填充因子23.96%等方面的结论。

关键词： 太阳能电池 界面层 光电性质 量子输运

作者: 宋晓敏 马忠权 高明

作者单位: 上海大学物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室;淮海工学院理学院 上海大学物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 徐州

会议语种:中文

页码: 1-18

在线出版日期: 2017-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）