选择腐蚀及其在MSM／HEMT OEIC光接收机中的应用

摘要：

该工作试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现InAl（Ga）As：InP和INGaAs：InAlAs择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上MSM光探测器的光响应度可达到O.5A/W，HEMT器件最大跨导为305mS/mm，最大饱和电流密度是350mA/mm。完成了实现OEIC光接收机的关键一步。

关键词： 腐蚀MSM／HEMT OEIC光接收机

作者: 敖金平 曾庆明

作者单位: 大学电子工程系(长春) 集成电路国家重点实验室,电子工业部第十三研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 298～301

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）