Growth of large Si single ingots for p-type solar cells with high conversion efficiency(≥ 19%)and high yield using a cast furnace by noncontact crucible method

摘要：

Comparison between Siwafers grown by the cast and CZ methods 1.Simulticrystalline wafer($ 0.86/sheet)

作者: K.Nakajima S.Ono K.Shirasawa T.Fukuda H.Takato

作者单位: JST FUTURE-PV INNOVATION,Koriyama,963-0298,Japan FREA,AIST,Koriyama,963-0298,Japan

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 浙江嘉兴

会议语种:英文

页码: 1-29

在线出版日期: 2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）