New Insights in the Behavior of Boron-Oxygen Related Degradation:Evidence of a Single Defect

摘要：

B-O Defect Formation Literature Boron-Oxygen Related LID Boron doped p-type Cz Boron-oxygen(24-48 hrs)～10 ％relative efficiency loss

作者: Brett Hallam

作者单位: Core-Research for ARENA Crystalline Si PV Projects at UNSW

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 浙江嘉兴

会议语种:英文

页码: 1-29

在线出版日期: 2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）