提拉法单晶硅生长系统中碳污染的模拟和控制机理

摘要：

碳杂质对少流子寿命的危害主要发生在氧含量较高的CZ-Si晶体中C原子:O沉淀的成核中心,强化O沉淀(少流子寿命杀手)S.Nakagawa,OYO BUTURI,84(2015)S.Kishino et.al JJAP,21(1982)。

关键词： 单晶硅 生长系统 提拉法 碳污染

作者: 刘鑫 高冰 中野智 柿本浩一

作者单位: 九州大学,应用力学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 浙江嘉兴

会议语种:中文

页码: 1-22

在线出版日期: 2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）