2016金刚线切割多晶硅片损伤层研究

摘要：

介绍了硅片损伤层产生机理，测试方法介绍，结果与讨论，第一部分，硅片损伤层产生机理，第一变形区位于磨粒前方及其附近区域.由于压应力产生剪切作用,产生切削、崩出和挤出切削区.

关键词： 多晶硅片 切割工艺 金刚线 损伤层

作者: 孙培亚

作者单位: 镇江荣德新能源科技有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 浙江嘉兴

会议语种:中文

页码: 1-19

在线出版日期: 2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）