利用化学吸热反应强化冷却直拉硅晶体

摘要：

介绍了背景介绍，数值模型，结果分析—全局热场的比较—反应物活化能的影响—反应物浓度的影响—高拉速大尺寸下的冷却效果，结论背景介绍单晶硅和多晶硅的市场份额以及光电转换效率的预测比较。

关键词： 硅晶体 冷却直拉工艺 化学吸热反应 光电转换效率

作者: 丁俊岭 刘立军

作者单位: 西安交通大学能源与动力工程学院晶体生长与太阳能电池材料研究组

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 浙江嘉兴

会议语种:中文

页码: 1-27

在线出版日期: 2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）