提升多晶硅片电池效率集中度
介绍了电池效率验证,优化代表块及结果,结论,PL设备检测(型号QS-W2)主要参数为Q值,Q=f(impure,defects),根据硅片指定类型的缺陷设定Q值,对硅片质量进行评估。.预估电池效率=产线单片最高效率-1×Q。
硅太阳能电池 多晶硅片 电池效率 集中度
郭明州 贺美亮 于琨 高冬松 王占友 陈博
光为绿色新能源股份有限公司
国内会议
浙江嘉兴
中文
1-16
2016-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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