MCCE technique for silicon solar cells:constructing light-trapping textures from nanoscale to submicron

摘要：

介绍了湿法黑硅与研究进展，总结和展望，湿法黑硅与CSPV历年CSPV中的湿法黑硅报告，常规HNO3/HF制绒属于各项同性刻蚀,有赖于硅片表面切割损伤层.金刚线切硅片表面损伤层浅并有线痕,导致刻蚀后有线痕残留、绒面浅,从而陷光性能差,最终影响效率。

关键词： 硅片 制绒工艺 切割工艺 陷光性能

作者: 苏晓东

作者单位: 苏州大学物理与光电·能源学部

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 浙江嘉兴

会议语种:英文

页码: 1-21

在线出版日期: 2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）