一种高填充因子的晶硅太阳电池
介绍了研究背景与意义，存在的问题与解决途径，提高FF的途径，实验结果与理论分析，提高效率、降低成本已成为光伏前沿研究和产业发展的重要趋势晶体硅效率持续提高,成本持续下降,未来较长一段时间还是市场的主流。发现了一种提高晶体硅太阳电池填充因子的方法，在硅太阳电池的发射层和金属电极之间生长一层氧化层，再通过高温快速退火过程，可形成与硅太阳电池pn结内建电场方向相反的MOS结。通过理论模拟，当电池中pn结与MOS结反向连接（指内建电场的方向），且MOS结势垒高度/e和电池开路电压接近时,就有可能获得很高的填充因子。
晶硅太阳电池 填充因子 氧化层 制备工艺 MOS结
王亮兴 陆明
中国科学院上海高等研究院 复旦大学光科学与工程系
国内会议
浙江嘉兴
中文
1-16
2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）