Photon-assisted high frequency capacitance voltage method to estimate the interface state density of no-MOS heterojunction

摘要：

界面态，界面态的影响，界面态的表征与测量，界面态的单位:cm-2eV-15,遇到的实际情况，光辅助法测量原理，SiOx层所致的材料性能。

关键词： 氧化硅半导体材料 界面态 光辅助法 材料性能

作者: 李勇

作者单位: 上海大学索朗光伏联合实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 浙江嘉兴

会议语种:英文

页码: 1-11

在线出版日期: 2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）