层流层对掺镓铸造多晶硅锭电阻率分布的影响

摘要：

硼掺杂硅锭光致衰减的机理镓掺杂硅锭有效抑制光致衰减原子半径较小的B原子更易于吸引硅中的间隙氧原子,形成BsO2i;镓原子半径较大,与双氧不能形成稳定的镓氧复合体不同硅锭光照下的少子寿命衰减过程。

关键词： 多晶硅锭 掺镓铸造 层流层 光致衰减机理

作者: 倪鹏

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 浙江嘉兴

会议语种:中文

页码: 1-13

在线出版日期: 2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）