RIE黑硅&湿法黑硅工艺优化分析报告
介绍了保定光为绿色能源科技有限公司，成立于2008年,现在已成为世界领先的国际化光伏太阳能企业,并稳步发展.公司作为优秀的产品制造商、专业的方案解决商,以及出色的客户服务商,光为凭借垂直一体化生产,专注于太阳能项目及分布式电站的发展,并已成功开拓欧洲、北美、日本、中国、澳洲及亚太市场.光为始终致力于人类绿色新能源的战略发展,以满足不断变化的世界能源需求.RIE，全称ReactiveIonEtching，反应离子刻蚀，一种微电子干法腐蚀工艺，是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是：SF6对硅的腐蚀主要是在直流电场中激发SF6分解产生的游离F基引起的。腐蚀硅产生的挥发性物质挥发将硅带走，其中起主要作用的是SiF4。氟的等离子体与硅腐蚀反应自发进行，不需要离子轰击，因此自由氟基产生高的腐蚀速率。制备黑硅所采用的技术主要有：①激光刻蚀法；②气相腐蚀法；③反应离子刻蚀法(RIE)；④金属催化化学腐蚀法(MCCE)。硅的电负性为1.90，通过采用比硅电负性高的用Au、Ag等贵金属粒子随机附着在硅片表面，并处于HF和H202中可形成原电池，反应中金属粒子作为阴极、硅作为阳极，在硅表面构成微电化学反应通道，在金属粒子下方快速刻蚀硅基底形成纳米结构。
反应离子刻蚀黑硅 湿法黑硅 工艺优化
郑海陆
保定光为绿色能源科技有限公司
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浙江嘉兴
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1-29
2016-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）