(n11)取向GaAsN薄膜光伏材料的外延生长研究

摘要：

实现N高效并入的同时抑制、相关缺陷态的产生对改变CaAsN薄膜太阳能电池性能至关重要:得益于生长面上丰富的三键活性As位，采用(n11)B GaAs衬底外延生长GaAsN材料可有效增强N的并入、延长载流子寿命、提升抗电子辐照能力、改善Si作为施主的掺杂效率.为获得可应用于高效多结太阳电池的高质量GaAsN外延层提供了新途径.

关键词： 太阳能电池 砷化镓薄膜 外延生长 GaAsN材料

作者: 韩修训

作者单位: 清洁能源化学与材料实验室 中国科学院兰州化学物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届海峡两岸薄膜科学与技术研讨会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 108-111

在线出版日期: 2016-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）