GaN Devices for Power Switching Applications

摘要：

Outline Introduction Materials Growth Technology Devices Fabrication:Passivation and Au-free Technology Normally-off Technology GaN Power Module and Gate Drive Conclusions Material Properties of GaN

作者: 張翼

作者单位: 國立交通大學

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届海峡两岸薄膜科学与技术研讨会

会议地点: 成都

会议语种:英文

页码: 131-135

在线出版日期: 2016-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）