ICP辅助高功率脉冲磁控溅射制备高N掺杂P型ZnO薄膜

摘要：

HPPMS对N2的解离效果明显优于DC，并可以获得p-ZnO薄膜;ICP辅助HPPMS不仅有利于解离率的进一步提高，还以利于结晶和抑制本征缺陷的形成。获得的p-ZnO载子浓度较低，可能因素为:虽然N2的解离度提高，但存在一定量的N以(N2)0形式掺入对受主进行补偿效应;N掺杂浓度过高后，相近的N0之间可能会发生结合形成(N2)0补偿受主，导致P型退化(不稳定)。

关键词： 半导体薄膜 P型氧化锌 氮掺杂 磁控溅射

作者: 张海涛 刘忠伟 陈强

作者单位: 北京印刷学院等离子体物理与材料研究室 102600

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国等离子体科学技术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 1-21

在线出版日期: 2015-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）