偏压感性耦合等离子体的混合模型:模型介绍及实验验证

摘要：

半导体芯片制造中至少有三分之一的过程与等离子体有关,而等离子体刻蚀是其中必不可少的工艺之一.Hybrid model计算时间段，速度快Hybrid model能够尽可能全面的考虑化学反应动力学，并且给出IEDF，能够正确给出偏压ICP放电的等离子体密度和离子能量变化的趋势，与实验测量基本吻合，可扩展为复杂的工业气体如SF6、C4F8等，加入刻蚀槽模型可模拟实际工艺过程.

关键词： 半导体芯片 等离子体刻蚀 混合模型 偏压感性耦合

作者: 温德奇 刘巍 高飞 王友年

作者单位: 等离子体模拟与实验小组 大连理工大学 物理与光电工程学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国等离子体科学技术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 1-19

在线出版日期: 2015-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）