不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较

摘要：

在粒子与物质相互作用的理论基础上，编写了计算中子非电离能量损失(NIEL)和电离能量损失(IEL)以及电子和γNIEL的Monte Carlo计算程序，利用编写的程序以及TRIM95和SANDYL程序计算了1MeV中子、20MeV质子、10MeV以下电子和γ在硅中IEL和NIEL的大小和分布。对计算结果进行了分析和比较。

关键词： 辐射损伤 能量沉积 蒙特卡罗 计算机模拟

作者: 陈世彬 陈雨生 黄流兴 张义门 张玉明

作者单位: 西北核技术研究所(西安) 西安电子科技大学微电子所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 479～484

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）