CMOS电路电离辐射加固设计

摘要：

该文从电离辐射使CMOS电路失效机理入手，进行CMOS电路的版图加固设计和工艺加固设计，主工对场区和栅氧化进行加固，以提高CMOS电路抗辐射能力，使作者所研制的电路抗辐射能力达到3×10<”3>Gy(Si)。

关键词： 辐射加固 CMOS

作者: 陈桂梅 董岩

作者单位: 东北微电子研究所(沈阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 166～168

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）