墨环喷印形态对G652D喷环着色光纤衰减影响的探索
讨论了使用一步法内喷环工艺生产G652D喷环着色光纤时,墨环形态对光纤衰减的影响.使用一步法内喷环所生产的G652D喷环着色光纤，在1200-1650nm波长范围内的衰减与附着在光纤上的墨环形态有直接关联，较小的墨点周期对该波长范围内的衰减没有明显影响，随着墨点周期增大，附加衰减的峰值首先出现在1200nm波长一侧，并不断向1650nm波长一侧移动，直到墨点周期增大到一定程度后，其对该波长范围内的衰减影响才几近消失。
喷环着色光纤 一步法内喷环工艺 墨环喷印形态 衰减性能
贺言
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2015-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）