用于制备UV-LED的AlGaN薄膜的生长及表征
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在c面蓝宝石衬底上生长AlxGa1-xN(x=0～0.32)外延层,并利用金相显微镜,X射线衍射仪(XRD)和荧光光谱仪系统地分析了AlxGa1-xN外延层的晶体质量和光致发光(PL)机理.实验结果表明:适当厚度(200nm)的HT-AlN缓冲层对高质量AlGaN薄膜外延生长起到了很好的促进作用;AlGaN薄膜的PL主峰源于带边发光,黄带发光主要是由于Ga空位导致的深受主能级与O形成的浅施主能级辐射复合导致.此外,AlGaN薄膜样品的带边发射峰随温度升高从312～317nm呈现”S”形变化趋势.
发光二极管 氮化镓铝薄膜 金属有机化学气相沉积 晶体质量 光致发光机理
代倩 王书昶 杨洪权 张雄 崔一平
东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心
国内会议
2015年中国照明论坛——LED照明产品设计、应用与创新论坛
南京
中文
47-53
2015-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）