抗辐照7-128译码器定制设计优化与实现
随着CMOS工艺技术的进步,SRAM存储器向高密度、大规模方向发展.大容量存储器对访问延时的要求越来越高,译码器成为影响存储器读出速度的关键.因此,如何对译码器进行更快速、更稳定的改进,成为高性能SRAM设计的重要部分，本文基于0.13μmCMOS工艺，首先详细说明并设计了一种7-128译码器，然后针对译码器延迟大的问题，采用逻辑努力技术从电路层面对其进行性能优化，针对自动生成版图面积大的问题，采用全定制技术绘制版图，并使用抗辐照加固技术从版图层面对其进行了抗辐射加固设计，在功耗基本保持不变的情况下，面积减小并减少输出延时。
存储器 译码器 定制设计 抗辐照加固 访问延时
曾嘉兴 陈跃跃 陈建军 彭喜 吕灵慧
湖南长沙国防科学技术大学计算机学院 410073
国内会议
哈尔滨
中文
192-197
2015-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）